IRF640NPBF INFINEON/英飞凌 TO-220-3
产品详情
制造商 | Infineon Technologies |
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制造商产品编号 | IRF640NPBF |
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描述 | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB |
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详细描述 | 通孔 N 通道 200 V 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB |
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类别 | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
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制造商 | Infineon Technologies |
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系列 | HEXFET® |
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包装 | |
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Product Status | |
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FET 类型 | N 通道 |
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技术 | |
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漏源电压（Vdss） | 200 V |
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | |
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | |
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | |
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | |
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Vgs（最大值） | |
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | |
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FET 功能 | |
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功率耗散（最大值） | |
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工作温度 | |
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安装类型 | 通孔 |
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供应商器件封装 | |
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封装/外壳 | TO-220-3 |
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基本产品编号 | IRF640 |
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