IRF3710PBF INFINEON/英飞凌 通孔 N 通道 100 V 57A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB

产品详情

IRF3710PBF   INFINEON/英飞凌  通孔 N 通道 100 V 57A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB

类别	分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商	Infineon Technologies
系列	HEXFET®
包装	管件
Product Status	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	57A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	23 毫欧 @ 28A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3130 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	200W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3
基本产品编号	IRF3710

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