IPB042N10N3G INFINEON/英飞凌 功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 A, 0.0036 ohm, TO-26
产品详情
IPB042N10N3G INFINEON/英飞凌 功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V,
100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
| 产品种类: | MOSFET |
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| RoHS: | 详细信息 |
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| 技术: | Si |
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| 安装风格: | SMD/SMT |
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| 封装 / 箱体: | TO-263-3 |
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| 晶体管极性: | N-Channel |
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| 通道数量: | 1 Channel |
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| Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
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| Id-连续漏极电流: | 100 A |
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| Rds On-漏源导通电阻: | 4.2 mOhms |
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| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
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| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
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| Qg-栅极电荷: | 88 nC |
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| 最小工作温度: | - 55 C |
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| 最大工作温度: | + 175 C |
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| Pd-功率耗散: | 214 W |
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| 通道模式: | Enhancement |
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| 商标名: | OptiMOS |
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| 封装: | Reel |
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| 封装: | Cut Tape |
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| 封装: | MouseReel |
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| 商标: | Infineon Technologies |
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| 配置: | Single |
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| 下降时间: | 14 ns |
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| 正向跨导 - 最小值: | 73 S |
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| 高度: | 4.4 mm |
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| 长度: | 10 mm |
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| 产品类型: | MOSFET |
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| 上升时间: | 59 ns |
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| 系列: | OptiMOS 3 |
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| 工厂包装数量: | 1000 |
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| 子类别: | MOSFETs |
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| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
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| 典型关闭延迟时间: | 48 ns |
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| 典型接通延迟时间: | 27 ns |
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| 宽度: | 9.25 mm |
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| 零件号别名: | IPB42N1N3GXT SP000446880 IPB042N10N3GATMA1 |
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| 单位重量: | 324 mg |
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