IPG20N06S4L-26 INFINEON/英飞凌 PG-TDSON-8
产品详情
IPG20N06S4L-26 INFINEON/英飞凌 PG-TDSON-8
| 产品种类: | MOSFET |
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| 技术: | Si |
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| 安装风格: | SMD/SMT |
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| 封装 / 箱体: | TDSON-8 |
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| 晶体管极性: | N-Channel |
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| 通道数量: | 2 Channel |
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| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
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| Id-连续漏极电流: | 20 A |
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| Rds On-漏源导通电阻: | 21 mOhms, 21 mOhms |
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| Vgs - 栅极-源极电压: | - 16 V, + 16 V |
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| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.2 V |
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| Qg-栅极电荷: | 20 nC |
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| 最小工作温度: | - 55 C |
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| 最大工作温度: | + 175 C |
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| Pd-功率耗散: | 33 W |
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| 通道模式: | Enhancement |
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| 资格: | AEC-Q101 |
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| 商标名: | OptiMOS |
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| 封装: | Reel |
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| 封装: | Cut Tape |
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| 封装: | MouseReel |
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| 商标: | Infineon Technologies |
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| 配置: | Dual |
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| 下降时间: | 10 ns, 10 ns |
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| 高度: | 1.27 mm |
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| 长度: | 5.9 mm |
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| 产品类型: | MOSFET |
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| 上升时间: | 1.5 ns, 1.5 ns |
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| 系列: | OptiMOS-T2 |
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| 工厂包装数量: | 5000 |
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| 子类别: | MOSFETs |
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| 晶体管类型: | 2 N-Channel |
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| 典型关闭延迟时间: | 18 ns, 18 ns |
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| 典型接通延迟时间: | 5 ns, 5 ns |
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| 宽度: | 5.15 mm |
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| 零件号别名: | IPG2N6S4L26XT SP000705588 IPG20N06S4L26ATMA1 |
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| 单位重量: | 96.440 mg |
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