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IRF7342TRPBF INFINEON/英飞凌 MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 55V 3.4A 2W 表面贴装型 8-SO

产品详情

IRF7342TRPBF INFINEON/英飞凌 MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 55V 3.4A 2W 表面贴装型 8-SO

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
105 毫欧 @ 3.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
38nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
690pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
基本产品编号
IRF7342

IR2101STRPBF.png

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