IRF7343TRPBF INFINEON/英飞凌 MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 55V 4.7A，3.4A 2W 表面贴装型 8-SO
产品详情
IRF7343TRPBF INFINEON/英飞凌 MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 55V 4.7A，3.4A 2W 表面贴装型 8-SO
类别 | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
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制造商 | |
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系列 | HEXFET® |
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包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
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产品状态 | |
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FET 类型 | |
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FET 功能 | |
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漏源电压（Vdss） | |
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | |
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | |
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | |
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | |
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | |
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功率 - 最大值 | |
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工作温度 | |
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安装类型 | |
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封装/外壳 | |
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供应商器件封装 | |
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基本产品编号 | IRF7343 |
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