IPB100N04S4H2ATMA1 INFINEON/英飞凌 表面贴装型 N 通道 40 V 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-3-2

产品详情

IPB100N04S4H2ATMA1  INFINEON/英飞凌  表面贴装型 N 通道 40 V 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-3-2

类别	分立半导体产品 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
Product Status	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7180 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	115W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO263-3-2
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号	IPB100

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