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IPD50P03P4L11ATMA2 INFINEON/英飞凌 表面贴装型 P 通道 30 V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3-11

产品详情

IPD50P03P4L11ATMA2  INFINEON/英飞凌   表面贴装型 P 通道 30 V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3-11

类别
分立半导体产品
单 FET，MOSFET

制造商
Infineon Technologies

系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2

包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带

Product Status
在售

FET 类型
P 通道

技术
MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）
30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.5 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 85µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V

Vgs（最大值）
+5V，-16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3770 pF @ 25 V

FET 功能
-

功率耗散（最大值）
58W（Tc）

工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型
表面贴装型

供应商器件封装
PG-TO252-3-11

封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号
IPD50P03

IPD50P03P4L11ATMA2.png

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