MMBT2907ALT1G ON/安森美 单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, 表面安装
产品详情
MMBT2907ALT1G ON/安森美 单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, 表面安装
| 产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
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| RoHS: | 详细信息 |
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| 安装风格: | SMD/SMT |
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| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
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| 晶体管极性: | PNP |
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| 配置: | Single |
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| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 60 V |
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| 集电极—基极电压 VCBO: | 60 V |
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| 发射极 - 基极电压 VEBO: | 5 V |
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| 集电极—射极饱和电压: | 1.6 V |
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| 最大直流电集电极电流: | 600 mA |
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| Pd-功率耗散: | 225 mW |
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| 增益带宽产品fT: | 200 MHz |
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| 最小工作温度: | - 55 C |
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| 最大工作温度: | + 150 C |
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| 系列: | MMBT2907AL |
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| 封装: | Reel |
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| 封装: | Cut Tape |
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| 封装: | MouseReel |
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| 商标: | onsemi |
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| 集电极连续电流: | - 0.6 A |
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| 直流集电极/Base Gain hfe Min: | 75 |
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| 高度: | 0.94 mm |
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| 长度: | 2.9 mm |
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| 产品类型: | BJTs - Bipolar Transistors |
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| 工厂包装数量: | 3000 |
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| 子类别: | Transistors |
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| 技术: | Si |
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| 宽度: | 1.3 mm |
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| 单位重量: | 30 mg |
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