STGWA40H65DFB ST IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-247 长引线

产品详情

STGWA40H65DFB  ST  IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-247 长引线

类别	分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商	STMicroelectronics
系列	HB
包装	管件
产品状态	在售
IGBT 类型	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）	650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)	160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	2V @ 15V，40A
功率 - 最大值	283 W
开关能量	498µJ（开），363µJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	210 nC
25°C 时 Td（开/关）值	40ns/142ns
测试条件	400V，40A，5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)	62 ns
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-247-3
供应商器件封装	TO-247 长引线
基本产品编号	STGWA40

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