DMG6602SVT-7 DIODES美台 MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 3.4A，2.8A 840mW 表面贴装型 TSOT-26
产品详情
DMG6602SVT-7 DIODES美台 MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 3.4A，2.8A 840mW 表面贴装型 TSOT-26
类别 | |
|
制造商 | |
|
系列 | |
|
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
|
Product Status | |
|
FET 类型 | |
|
FET 功能 | |
|
漏源电压（Vdss） | |
|
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | |
|
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | |
|
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | |
|
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | |
|
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | |
|
功率 - 最大值 | |
|
工作温度 | |
|
安装类型 | |
|
封装/外壳 | |
|
供应商器件封装 | |
|
基本产品编号 | DMG6602 |
|
上一个： DMP10H400SK3-13 DIODES/美台 表面贴装型 P 通道 100 V 9A（Tc...
下一个： DMG1012T-7 DIODES/美台 表面贴装型 N 通道 20 V 630mA（Ta）...
