告别FinFET，台积电披露2nm新结构

会上，罗镇球表示，台积电将在2nm节点推出Nanosheet/Nanowire的晶体管架构并采用新的材料，同时于明年3月推出5nm汽车电子工艺平台。

随着Nanosheet/Nanowire晶体管和新材料上马，也意味着，一代传奇架构FinFET（鳍式场效应晶体管）在先进工艺的寿命将最多延续至3nm节点。

尽管如此，不同于三星在3nm上直接上马GAA（环绕栅极晶体管），台积电已经成功将FinFET至少延续到了3nm（至少第一代）时代。

FinFET（又称3D晶体管）系华人教授胡正明于1999年发明，他出生于北京豆芽菜胡同，曾任台积电首席技术官。FinFET第一代由Intel在2012年的22nm节点应用量产，当时台积电、三星还停留在28nm工艺。

直到Bulk CMOS工艺技术在20nm走到尽头之后，胡教授发明的FinFET和FD-SOI工艺得以使三星/台积电的14nm/16nm延续摩尔定律传奇至今。