SK海力士：开发出238层4D NAND闪存

8月2日，SK海力士表示开发出了业界最高的238层NAND Flash产品。

图源：SK海力士

SK海力士宣称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升50%，读取数据消耗的能量降低21%，它可以用于PC存储设备、智能手机和服务器。据悉，SK海力士准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。

SK海力士自2018年开发出96层NAND产品后，推出了超越现有3D产品的4D系列产品。该公司已经应用电荷阱闪光(CTF)和外围电池(PUC)技术来制作4D结构的芯片。与3D相比4D产品的单元面积更小，生产效率更高。

目前，大多数的闪存芯片仍在生产100+层数的芯片，但众多生产企业对200层的生产工艺都是跃跃欲试。今年稍早，美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称，将很快推出超过200层的BiCS+内存芯片，预定在2024年正式面世。

图：美光宣布率先量产232层堆栈NAND

参与层数竞争的三星电子也被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存，业界猜测可达224层，传输速度和生产效率将提高30%。而美光则在8月初宣布，已经提前量产全球首款232层3D NAND芯片。

中国最大NAND闪存制造商长江存储近日发布了第四代TLC三维闪存X3-9070，据媒体称至少已经接近或突破200层大关。